нАПИСАТЬ НАМ
Личный кабинет
Мы в соцсетях:
ENG
  • Главная
  • Новости
  • В IBM сконструировали графеновый полевой транзистор с частотой до 100 ГГц

В IBM сконструировали графеновый полевой транзистор с частотой до 100 ГГц

В IBM сконструировали графеновый полевой транзистор с частотой до 100 ГГцСпециалисты Исследовательского центра им. Томаса Уотсона компании IBM (США) сконструировали графеновый полевой транзистор с расчетной граничной частотой 100 ГГц, на которой коэффициент усиления по току уменьшается до единицы.
Для создания графенового слоя ученые в течение двух минут выдерживали пластину карбида кремния при температуре 1 450 ˚C. Затем методом электронной литографии формировались электроды истока и стока — слои титана, палладия и золота толщиной 1, 20 и 40 нм. На сохранившиеся между ними каналы открытого графена наносился защитный диэлектрический слой полигидроксистирола толщиной 10 нм; сверху располагались диоксид гафния, отличающийся высокой диэлектрической проницаемостью, и электрод затвора.
Длина затвора лучших из созданных транзисторов сравнительно велика и составляет 240 нм (современные кремниевые устройства, напомним, уже дошли до 32 нм). В опытах оценивалось функционирование транзисторов на частоте до 30 ГГц; граничную частоту в 100 ГГц исследователи получили путем экстраполяции. Стоит заметить, что предыдущий вариант графенового транзистора IBM, представленный в январе прошлого года, имел граничную частоту всего в 26 ГГц, а кремневые аналоги при сравнимой длине затвора демонстрируют значение 40 ГГц.
В будущем исследователи займутся уменьшением размеров и оптимизацией конструкции устройства и постараются повысить качество графенового слоя. Кроме того, им необходимо подумать над тем, как создать ненулевую запрещенную зону в графене, поскольку текущий вариант транзистора, в котором используется материал без запрещенной зоны, нельзя применять в схемах логики.

compulenta.ru